“目前英特尔20%的产品是交由外部代工厂生产 ， 同时我们也是台积电的重要客户之一 。未来我们会继续深化这种合作关系 ， Xe显卡产品是我们向IDM 2.0演进的第一阶段的成果 ， 我们首次利用了另一家代工厂的先进制程节点 。背后的原因很简单：就像我们的设计师为不同的工作负载选用恰当的架构一样 ， 我们也会为架构选择最适合的制程节点 。目前 ， 英特尔独立显卡产品采用代工厂的制程节点 ， 是恰当之选 。“Stuart Pann说道 。
在先进封装赛道更进一步
在此次架构日中 ， 英特尔介绍了下一代至强可扩展处理器（代号为“SapphireRapids”） ， 该产品可谓是数据中心平台上是一大突破 ， 同时也意味着英特尔在先进封装领域更进了一步 。
据了解 ， Sapphire Rapids的核心是一个分区块、模块化的SoC架构 ， 采用英特尔的嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）封装技术 ， 在保持单晶片CPU接口优势的同时 ， 具有显著的可扩展性 。Sapphire Rapids提供了一个单一、平衡的统一内存访问架构 ， 每个线程均可完全访问缓存、内存和I/O等所有单元上的全部资源 ， 由此实现整个SoC具有一致的低时延和高横向带宽 。
在此前英特尔召开的制程工艺和封装技术线上发布会上 ， 英特尔公布了有史以来最详细的制程工艺和封装技术发展路线 ， 并表示英特尔将在2025年之前重返产业巅峰 。可见 ， 除了先进制程以外 ， 先进封装也是英特尔重返业界巅峰的重要赛道之一 。因此 ， 在先进封装方面 ， 英特尔也提出了四点发展路线 ， 分别是EMIB技术、Foveros技术、FoverosOmni技术以及Foveros Direct技术 。
此次架构日中发布的Sapphire Rapids ， 也成为了首个采用EMIB封装技术的产品 ， 即采用2.5D的嵌入式桥接解决方案 。因此 ， Sapphire Rapids也成为了业界首个与单片设计性能相似 ， 且整合了两个光罩尺寸的器件 。据了解 ， 继Sapphire Rapids之后 ， 下一代 EMIB的凸点间距将从55微米缩短至45微米 。
Stuart Pann 表示 ， “英特尔的模块化架构方法驱动着下一轮革新 ， 这使我们能够在不同制程节点上对独立的芯片或单元进行混搭 ， 并使用英特尔的先进封装技术将它们连接 。随着越来越多的半导体产品从SoC向片上封装系统转变 ， 英特尔在先进封装方面的领先地位将使我们更好地引领这一趋势 。“

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【从GPU反攻到IDM模式再革新，英特尔架构日透露太多信息】来源：中国电子报

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