跨界芯片设计,应用材料公司模拟ai芯片亮相集成电路顶会
黑龙江龙网_原标题跨界芯片设计 , 应用材料公司模拟AI芯片亮相集成电路顶会
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集微网消息 , 据外媒报道 , 半导体设备巨头应用材料将于集成电路领域顶级会议VLSISymposium上 , 发布其模拟AI芯片设计方案 。
【跨界芯片设计,应用材料公司模拟ai芯片亮相集成电路顶会】据报道 , 该芯片为应用材料与密歇根大学联合研制 , 使用新型ReRAM器件与RISC-V计算核组成SoC , 实现存内计算架构 , 在机器学习与科学计算上获得较好表现 , 峰值效率为20.7TOP/W 。
本月早些时间 , 应用材料公司也已发表一篇公开论文 , 介绍了其基于ReRAM的模拟AI芯片架构 。
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