美光发布业界首个232层3dnand闪存
近日 , 美光公司发布了业界首个具有232层的3DNAND闪存 , 并宣布该技术将会投入包括SSD在内的多种产品 。
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据悉 , 这种232层的3DNAND闪存采用3DTLC架构 , 原始容量为1Tb(128GB);芯片基于美光的CuA架构 , 并使用NAND的字符串堆叠技术 。
CuA架构的设计 , 配合232层的高堆叠 , 有效减少了1Tb3DTLCNAND闪存的芯片尺寸 , 有望降低产品的生产成本 , 提升竞争力 。
美光目前并未宣布232层3DTLCNANDIC的I/O速度或平面数量 , 但从透露的信息来看 , 新的内存应该会提供更高的性能 , 这对采用PCIe5.0接口的下一代SSD来说 , 无疑是一个好消息 。
【美光发布业界首个232层3dnand闪存】在具体的产品层面上 , 美光的技术和产品执行副总裁ScottDeBoer称 , 公司目前已经与第三方NAND控制器开发者达成合作 , 从而实现对新型内存的支持 。
此外 , 美光表示 , 预计将在2022年底开始生产232层3DTLCNAND闪存 , 按此计划 , 采用这种新技术的SSD应该会在明年与用户见面 。
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话题标签:美光闪存SSD
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