芯研所4月18日消息 ， 据Digitimes ， 三星基于GAA晶体管的3nm工艺良率远低于预期 ， 这或许意味着公司需要更多的时间才能投入量产 。所谓GAA晶体管即环绕栅极晶体管 ， 它取代的是FinFET（鳍式场效应晶体管） ， 前者可以实现四边充当电流通道 ， 二者则只有三边 。

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芯研所采编
【三星基于gaa晶体管的3nm工艺良率远低于预期】三星本来想着通过抢占技术制高点“降维”打击台积电 ， 没想到后者坚持在3nm使用FinFET后 ， 结果更务实 。
今年早些时候曾有报道称 ， 半导体设备巨头LamResearch（泛林）向三星提供了用于3nmGAA芯片蚀刻相关的机器 ， 三星希望在上半年完成全套工艺的质量验证 。

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