三星内存技术突然落后!决定中断12nm DRAM芯片开发:直上11nm

【三星内存技术突然落后!决定中断12nm DRAM芯片开发:直上11nm】本文转自:驱动之家
三星不仅是世界第一大DRAM内存芯片供应商 , 技术水平也是最先进 。
据BusinessKorea , 三星要求研发人员停止1b工艺DRAM芯片的开发 , 也就是跳过12nm , 直接跨代到1c , 即11nm 。
三星设定了非常激进的目标 , 即在今年6月完成并冻结11nm、第六代DRAM芯片的开发工作 。
此前的说法是三星1b(12nm)DRAM芯片遇到困难 , 搞不定 。不过就最新的报道来看 , 似乎并非如此 , 当然 , 最终实情如何 , 还得拿实物量产说话 。
报道指出 , 三星此举目的在于重新拉开与竞争对手SK海力士、美光的技术差距 , 其原因在于1a DRAM芯片量产上 , 三星实际上落后于竞争对手 。
事实上 , 这并非三星第一次在DRAM芯片上计划“弯道超车” , 当年对手都在搞28nm DRAM时 , 三星聚焦更先进的25nm工艺 , 结果高风险最终促成高收益 。
三星内存技术突然落后!决定中断12nm DRAM芯片开发:直上11nm
文章图片

文章图片