英特尔推进芯片埃米时代，或抢走台积电、三星大客户英特尔加速半导体制造美国开

英特尔加速半导体制造
美国开始重视芯片制造业的发展，英特尔作为美国最大的芯片代工厂，自然是受到更多关注的。可以说英特尔成为美国芯片制造业崛起的希望，不过想要推进英特尔芯片制造崛起，也不是一件容易的事情。
从工艺来看，英特尔目前处在10nm左右，台积电和三星都突破了5nm量产工艺。而且要不了几年，两大巨头都能实现3nm芯片的量产。

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英特尔无疑会拉开一大段距离，但是很显然，英特尔也不打算就此放弃，已经在加速半导体制造了。两个措施很清晰地看出这一点。
首先英特尔将拿出200亿美元在美国投资建厂，这些钱将落地美国亚利桑那州，建设两座芯片工厂。

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其次英特尔正在寻求欧盟地区的补助，希望在欧洲建厂时可以得到帮助。英特尔分别在美国，欧洲等地区参与建厂投资，提高芯片制造产能和工艺。钱的方面有美国提供帮助，不用太过担心。
只要英特尔能实现芯片崛起，相信背后会有资本力量提供保障的。在这样的情况下，英特尔只需要放手一搏，探索更先进的工艺。于是在芯片纳米时代的基础上，推进全新的半导体技术节点。
【英特尔推进芯片埃米时代，或抢走台积电、三星大客户】

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英特尔推进埃米时代
传统的芯片工艺节点都是以nm为命名，比如14nm、7nm、5nm等等。但是传统命名方式不同，英特尔推出了全新的命名节点，这一节点叫作20A 。
按照英特尔的计划，从10nm到3nm是传统的纳米时代，可是到了3nm以下，就是埃米时代了。

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而这项20A工艺技术，就是埃米时代的产物。若发展顺利的话，英特尔在2024年就会推出这项工艺。那么埃米时代都有哪些独特之处呢？
既然英特尔有足够的自信推广埃米时代，就说明是做好充足准备了。为了推进全新的埃米时代，英特尔开发了全新的技术，比如PowerVia和RibbonFET 。

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其中PowerVia是英特尔自研的背面电能传输网络，在优化信号传输方面有出色的表现。至于RibbonFET这项工艺，可以大幅提升晶体管开关速度，并且实现更小的空间占比。
综合来看，英特尔对埃米时代的20A技术，已经有了技术创新准备。如果真如英特尔所说，恐怕全球半导体行业的格局真的要发生改变了。

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英特尔创始人戈登摩尔提出了摩尔定律，现在英特尔又要试图打破摩尔定律极限。极限之后，可能会开拓埃米芯片时代。
台积电，三星大客户要被抢了？
目前的英特尔在工艺制程上远远落后于台积电，三星，甚至先进的芯片都需要两大巨头代工。可是英特尔表示，要在2025年赶上台积电。
由此可见，英特尔是定下远大目标的，再加上20A工艺的探索，还有美国方面的支持，恐怕英特尔真的会推进埃米时代的到来。